الخصائص الهيكلية لأنبوب MOS و IGBT

في الدوائر الإلكترونية ، غالبًا ما تظهر MOS و IGBT ، ويمكن استخدامها جميعًا كعناصر تبديل. MOS و IGBT متشابهان إلى حد ما في المظهر والمعلمات المميزة. لماذا تستخدم بعض الدوائر MOS؟ وبعض الدوائر تستخدم IGBT؟

تتكون وحدة IGBT من طبقة إضافية على استنزاف MOSFET.

وحدة IGBT هي في الواقع مزيج من MOSFET وثلاثي الترانزستور. تعاني MOSFET من عيوب المقاومة العالية ، لكن وحدة IGBT تتخلص من هذا العيب ، ولا تزال وحدة IGBT منخفضة المقاومة عند الجهد العالي.

بالإضافة إلى ذلك ، وحدات IGBT ذات سعة الطاقة المماثلة ووحدات MOSFET ، قد تكون سرعة وحدات IGBT أبطأ من وحدات MOSFET.

ما سبق هو الخصائص الهيكلية لأنبوب MOS و IGBT الذي قدمته شركة Inheritance Electronics